発表題目 Enhancement-mode Ga2O3 MOSFETs with Si-ion-implanted source and drain
 概要 Enhancement-mode β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with low series resistance were achieved by Si-ion implantation doping of the source/drain contacts and access regions. An unintentionally doped Ga2O3 channel with low background carrier concentration that was fully depleted at a gate bias of 0 V gave rise to a positive threshold voltage without additional constraints on the channel dimensions or device architecture. Transistors with a channel length of 4 μm delivered a maximum drain current density (IDS) of 1.4 mA/mm and an IDS on/off ratio near 10^6. Nonidealities associated with the Al2O3 gate dielectric as well as their impact on enhancement-mode device performance are discussed.  
 発表/発行日 2017/03/07   2017年 04月号   Vol.:10  No.:4   Applied Physics Express doi: 10.7567/APEX.10.041101
 発表/発行機関 Applied Physics Express
 研究テーマ 半導体デバイス
 発表者
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WONG MAN HOI  【グリーンICTデバイス先端開発センター】
中田 義昭
 【グリーンICTデバイス先端開発センター】
倉又 朗人
山腰 茂伸
東脇 正高
 【グリーンICTデバイス先端開発センター】
 発表区分 研究論文

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